Componentes pasivos
BSP315P Transistor MOSFET P-CH 60V 1.17A
S/ 9.50
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Descripción y especificaciones
| Estilo de montaje | SMD/SMT Paquete / |
|---|---|
| Cubierta | PG-SOT-223-4 |
| Polaridad del transistor | P-Channel |
| Numero de canales | 1 Channel Vds |
| Corriente de drenaje continua | 1.17 A Rds On |
| Resistencia entre drenaje y fuente | 800 mOhms Vgs |
| Tension entre puerta y fuente | 10 V Vgs th |
| Carga de puerta | 5.2 nC Temperatura de… |
- Tension disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V Id
- Tension umbral entre puerta y fuente: 1 V Qg