Componentes pasivos
CS830 Mosfet Canal N 500V-5A
S/ 3.00
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Descripción y especificaciones
MOSFET de potencia de canal N de silicio CS830 A4RD ○R Descripción general: CS830 A4RD, los VDMOSFET mejorados de canal N de silicio, se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción y mejora la conmutación VDSS ID PD (TC = 25 ℃) RDS(ON)Typ 500 5 75 1.25 rendimiento y mejora la energía de avalancha.