Componentes pasivos

FGA25N120 Transistor IGBT de puerta aislada 1200V 25A

S/ 8.00

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Descripción y especificaciones

Número de Parte	FGA25N120 Tipo de transistor: IGBT + Diode Polaridad de transistor: N
Máxima potencia disipada	312 W
Tensión máxima colector-emisor	1200 V
Tensión máxima puerta-emisor	20 V
Temperatura máxima de unión	150 ℃
Tensión máxima de puerta-umbral	7.5 V
Tiempo de subida, typ	60 nS…