IRF630 Mosfet Canal N 200V-10A

Descripción y especificaciones

Tipo de FET Canal N Tecnología MOSFET (óxido de metal) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc) Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 400 mOhmios a 5,4 A, 10 V Vgs (th) (Max) @ Id 4 V a 250 µA Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC a 10 V Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF a 25 V.