Componentes pasivos
IRF9540 Transistor Mosfet de canal P 100V
S/ 3.00
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Descripción y especificaciones
| Tipo de FET | MOSFET Polaridad de transistor: P ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Pd |
|---|---|
| Máxima disipación de potencia | 150 W |
| Fuente | 100 V |
| Puerta | 20 V |
| Corriente continua de drenaje | 19 A Tj |
| Temperatura máxima de unión | 175 °C CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS |
| Carga de la puerta | 61(max) nC tr |
- Vds
- Voltaje máximo drenador
- Vgs
- Voltaje máximo fuente
- Id
- Vgs(th)
- Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V Qg
- Tiempo…