Componentes pasivos
Mosfet 11N80C3
S/ 5.00
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Descripción y especificaciones
Polaridad: canal N Tensión drenaje‑fuente (V₍DSS₎): 800 V Corriente continua de drenaje (I₍D₎) típica: 11 A Resistencia drenaje‑fuente en conducción (R₍DS(on)₎) máx: 0,45 Ω @ V₍GS₎ = 10 V Voltaje puerta‑fuente máximo (V₍GS₎): ±20 V Tecnología: “CoolMOS C3”, avalancha periódica, baja carga de puerta y bajas capacitancias parasitas Paquete / encapsulado: TO‑220 (o TO‑220‑FP / FullPAK según variante) Rango de…