Componentes pasivos
RJP63K2 IGBT Transistor 630V-35A canal N
S/ 6.50
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Descripción y especificaciones
| Máxima potencia disipada | 60 W |
|---|---|
| Tensión máxima colector-emisor | 630 V |
| Tensión máxima puerta-emisor | 30 V |
| Temperatura máxima de unión | 150 ℃ trⓘ |
| Tiempo de subida, typ | 60 nS Coesⓘ |
| Capacitancia de salida, typ | 26 pF Qgⓘ |
- Pcⓘ
- Vce
- ⓘ
- Vge
- ⓘ
- Ic
- ⓘ
- Colector de Corriente Continua a 25℃: 35 A
- VCEsat
- ⓘ
- Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃ Tjⓘ
- Carga total de la puerta, typ: 20 nC Paquete /…